PNP,Vceo=-40V,Ic=-3A
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):450mV @ 300mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值):20nA
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):300 @ 10mA,2V
功率 - 最大值:3.9W
频率 - 跃迁:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252-3
参数名称 | 参数值 |
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额定功率 | 3.9W |
集电极电流Ic | 3A |
集射极击穿电压Vce | 40V |
晶体管类型 | PNP |