P沟道,-100V,-0.7A,1Ω@-10V
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：600mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 600mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：3.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：141pF @ 50V
功率 - 最大值：625mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 600mA |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 1Ω @ 600mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 625mW |
| 类型 | P沟道 |
