30V,2个N 通道和2 个P 通道(H 桥)
FET 类型：2 个 N?通道和 2 个 P 通道（H 桥）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.7A，2A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：3.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：190pF @ 25V
功率 - 最大值：1.3W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-223-8
供应商器件封装：SM8
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.7A,2A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 120mΩ @ 2.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.3W |
| 类型 | 双N沟道和双P沟道(H桥) |
