N沟道,200V,0.32A,10Ω@10V
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：320mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：10 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：85pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 320mA |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 1mA |
| 漏源导通电阻 | 10Ω @ 250mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W |
| 类型 | N沟道 |
