ULQ2003ATDRG4Q1

晶体管类型：7 NPN 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1.7V @ 500μA，350mA
功率 - 最大值：950mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：16-SOIC