TPS28225DR

驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5 V ~ 8.8 V
输入类型：非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）：33V
上升/下降时间（典型值）：10ns，10ns
工作温度：-40°C ~ 125°C （TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC