PNP,Vceo=-100V,Ic=-3A,hfe=10~50，功率晶体管
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：3A
电压 - 集射极击穿（最大值）：100V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：200μA
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：10 @ 3A，4V
功率 - 最大值：2W
频率 - 跃迁：3MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 额定功率 | 40W |
| 集电极电流Ic | 3A |
| 集射极击穿电压Vce | 100V |
| 晶体管类型 | PNP |
