SN75451BDR

驱动配置：低压侧
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.75 V ~ 5.25 V
逻辑电压?- VIL，VIH：0.8V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：500mA，500mA
输入类型：反相
上升/下降时间（典型值）：5ns，7ns
工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC