P沟道,-60V,-14A,103mΩ@-4.5V
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：14A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：84 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1900pF @ 10V
功率 - 最大值：20W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：CPT3
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 14A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 1mA |
| 漏源导通电阻 | 84mΩ @ 14A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 20W |
| 类型 | P沟道 |
