带ESD保护的N通道MOSFET晶体管/60V/0.25A/2.4Ω@10V/0.2W
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技术参数：
封装类型:SOT-23
安装类型:表面贴装
引脚数目:3
通道类型：N
通道模式:增强
最大连续漏极电流：250 mA
最大漏源电压：60 V
最大漏源电阻值：12 Ω
最大栅阈值电压：2.3 V
最小栅阈值电压：1V
最大栅源电压：-20 V,+20 V
最大功率耗散：350 mW
最低工作温度：-55 °C
最高工作温度：+150 °C
典型接通延迟时间：3.5 ns
典型关断延迟时间：18 ns
正向二极管电压：1.2 V
典型输入电容值：15pF @ 25V
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 250mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.3V @ 1mA |
| 漏源导通电阻 | 2.4Ω @ 250mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 200mW |
| 类型 | N沟道 |
