PT12-21C/TR8 侧面接收

商品库存单位(SKU): PT12-21C/TR8
制造商零件号: PT12-21C/TR8
¥0.46
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数量现价
5+¥0.46
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150+¥0.32
500+¥0.29
2500+¥0.28
5000+¥0.28
940 nm Phototransistor IR Chip Silicon
电压 - 集射极击穿(最大值):30V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA
电流 - 暗(Id)(最大值):100nA
波长:940nm
功率 - 最大值:75mW
安装类型:表面贴装,直角
朝向:侧视图
工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳:2-SMD,无引线
参数名称参数值
波长940nm
电流 - 暗100nA
工作温度-25℃ ~ 85℃ (TA)
频谱范围400nm~1100nm
电流 - 集电极(最大值)50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)30V
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