940 nm Phototransistor IR Chip Silicon
电压 - 集射极击穿(最大值):30V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA
电流 - 暗(Id)(最大值):100nA
波长:940nm
功率 - 最大值:75mW
安装类型:表面贴装,直角
朝向:侧视图
工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳:2-SMD,无引线
参数名称 | 参数值 |
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波长 | 940nm |
电流 - 暗 | 100nA |
工作温度 | -25℃ ~ 85℃ (TA) |
频谱范围 | 400nm~1100nm |
电流 - 集电极(最大值) | 50mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V |