制造商
无锡新洁能股份有限公司
产品种类
MOSFET
产品特性
P沟道增强型功率MOSFET
漏源极击穿电压（最大）
-100V
连续漏极电流（最大）
-18A
功率耗散（最大）
70W
栅源极击穿电压
20V
漏源导通电阻（典型值）(10V)
85mΩ
封装
TO252
