DualBiasResistorTransistorsNPNSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork丝印为7M
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：2.2k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：47k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 5mA，10V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
功率 - 最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
