高电压(600V),高低侧驱动IC
驱动配置:半桥
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 电源:17V(最大)
逻辑电压?- VIL,VIH:1.1V,1.8V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA
输入类型:反相
高压侧电压 - 最大值(自举):600V
上升/下降时间(典型值):70ns,40ns
工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO