IXDN602SIA

驱动配置：低压侧
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5 V ~ 35 V
逻辑电压?- VIL，VIH：0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：2A，2A
输入类型：非反相
上升/下降时间（典型值）：7.5ns，6.5ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC