HY5110W

图片 HY5110W

商品库存单位（SKU）: HY5110W

制造商零件号: HY5110W

制造商: HUAYI(华羿微)

¥11.65

库存信息: 缺货

数量:

梯度价-买得越多，省得越多

数量	现价
1+	¥11.65
10+	¥8.71
30+	¥8.16
100+	¥7.62
500+	¥7.38
1000+	¥7.26

N沟道场效应管 100V 316A N-MOSFET 导通电阻2.1mR TO-247-3

参数名称	参数值
漏源电压（Vdss）	100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	316A
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	2.5mΩ @ 158A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	500W
类型	N沟道

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