HY4903B6

图片 HY4903B6

商品库存单位（SKU）: HY4903B6

制造商零件号: HY4903B6

制造商: HUAYI(华羿微)

¥4.23

库存信息: 缺货

数量:

梯度价-买得越多，省得越多

数量	现价
1+	¥4.23
10+	¥3.09
30+	¥2.88
100+	¥2.67
500+	¥2.57
1000+	¥2.53

30V/314A 1.3mΩ(typ.)@V GS = 10V

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

30V/314A

R DS(ON) = 1.3mΩ(typ.)@V GS = 10V

R DS(ON) = 1.7mΩ(typ.)@V GS = 4.5V

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参数名称	参数值
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	314A
栅源极阈值电压	3V @ 250uA
漏源导通电阻	1.7mΩ @ 150A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	268W
类型	N沟道

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