MOS N沟道 60V/162A 3.5毫欧@10V
HY3606B TO-263
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
60V/162A
R DS(ON) = m? (typ.) @ V GS =10V
V DSS Drain-Source Voltage 60
V GSS Gate-Source Voltage ±25V
T J Maximum Junction Temperature 175 °C
T STG Storage Temperature Range -55 to 175 °C
I S Diode Continuous Forward Current T C =25°C 162 A
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| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 162A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 4.5mΩ @ 81A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 214W |
| 类型 | N沟道 |
