驱动配置：H全桥通道类型：独立式驱动器数：4栅极类型：N 沟道 MOSFET电压 - 电源：8.5 V ~ 15 V逻辑电压?- VIL，VIH：1V，2.5V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：1.4A，1.3A输入类型：非反相高压侧电压 - 最大值（自举）：95V上升/下降时间（典型值）：9ns，9ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：16-SOIC
