Vce=1200V，Ic=50A，Vce(sat)=2V
IGBT 类型：NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：90A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2.65V @ 15V，50A
功率 - 最大值：312W
开关能量：4.1mJ（开），960μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：200nC
25°C 时 Td（开/关）值：50ns/190ns
测试条件：600V，25A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：350ns
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3PN
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 集电极电流（Ic）（最大值） | 50A |
| 集射极击穿电压（最大值） | 1200V |
| 类型 | NPT 和沟道 |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 2.65V @ 15V,50A |
| 栅极阈值电压-VGE(th) | 7.5V @ 25mA |
