NPN,Vceo=50V,Ic=100mA
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：22k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 1mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 500μA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）
频率 - 跃迁：250MHz
功率 - 最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-723
供应商器件封装：VMT3
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 额定功率 | 150mW |
| 集电极电流Ic | 100mA |
| 集射极击穿电压Vce | 50V |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
