NXP恩智浦 三象限高换向双向可控硅，16A，800V，3Q Hi-Com， 高dv/dt>1000V，可用于电感负载，不用加吸收电路，抗电磁干扰能力强，性能远优于四象限可控硅。
三象限高换向双向可控硅，16A，800V，3Q Hi-Com， 高dv/dt>1000V，可用于电感负载，不用加吸收电路，抗电磁干扰能力强，性能远优于四象限可控硅。
三象限可控硅的主要应用：1、适用于有显著电噪声的环境；2、适用于需要驱动如非线性、感性、容性、高电流或PTC热敏电阻等复杂负载的电路；3、适用于需要严格避免误触发的电路；4、适用于对抗电磁干扰能力有较高要求的电路。
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| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 通态电流(It (RMS)) (Max) | 16A |
| 通态电流 (It (AV)) (Max) | - |
| 断态电压Vdrm | 800V |
| 栅极触发电压 | 1.5V |
| 类型 | 双向可控硅 |
| 栅极触发电流 | 50mA |
