N沟道,75V,100A,10.5mΩ@10V
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Ta），100A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：136nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：5640pF @ 30V
功率 - 最大值：2.1W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 75V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 10.5mΩ @ 30A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.1W |
| 类型 | N沟道 |
