P沟道,-30V,-85A,4.5mΩ@-10V
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：32A（Ta），85A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：105nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3505pF @ 15V
功率 - 最大值：7.3W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线
供应商器件封装：8-DFN（5x6）
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 32A |
| 栅源极阈值电压 | 2.6V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 4.5mΩ @ 20A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 7.3W |
| 类型 | P沟道 |
