N沟道,20V,6A,17mΩ@4.5V
FET 类型：2 N 沟道（双）共漏
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1100pF @ 10V
功率 - 最大值：2.5W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：8-DFN（2.9x2.3）
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A |
| 栅源极阈值电压 | 1.1V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 17mΩ @ 6A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W |
| 类型 | 双N沟道(共漏) |
