P-ChannelMOSFET
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.4A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：5.06nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：409pF @ 15V
功率 - 最大值：350mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SC-70-3
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.4A |
| 栅源极阈值电压 | 1.4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 150mΩ @ 1.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW |
| 类型 | P沟道 |
