N沟道,20V,9.4A,15mΩ@4.5V
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：14 毫欧 @ 9.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：17.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1810pF @ 10V
功率 - 最大值：2W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | - |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 14mΩ @ 9.4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W |
| 类型 | 双N沟道 |
