N+P双MOS管，40V/6A加-40V/-5A，24毫欧低阻款。
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A，5A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：650pF @ 20V
功率 - 最大值：2W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A,5A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 30mΩ @ 6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W |
| 类型 | N沟道和P沟道 |
