P沟道,-30V,-12A,13mΩ@-10V
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 12A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2600pF @ 15V
功率 - 最大值：3.1W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 11mΩ @ 12A,20V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.1W |
| 类型 | P沟道 |
