P沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5V
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：43 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：17.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1450pF @ 10V
功率 - 最大值：1.5W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3L
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 43mΩ @ 4A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.5W |
| 类型 | P沟道 |
