N沟道,30V,0.1A,8Ω@10V
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 100μA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：13pF @ 5V
功率 - 最大值：150mW
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-723
供应商器件封装：VMT3
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 100uA |
| 漏源导通电阻 | 8Ω @ 10mA,4V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW |
| 类型 | N沟道 |
