N沟道,60V,0.3A,5Ω@10V
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：300mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：50pF @ 10V
功率 - 最大值：830mW
工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23（TO-236AB）
| 参数名称 | 参数值 |
|---|
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 300mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 5Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 830mW |
| 类型 | N沟道 |
