中国IC扩张或引发价格战

根据市场研究公司TrendForce的数据，从2023年到2027年，全球成熟(28nm)与先进(16nm) IC工艺的比例预计将徘徊在7:3左右。在促进本地生产和国内集成电路发展的政策和激励措施的推动下，中国的成熟工艺产能预计将从今年的29%增长到2027年的33%。领先的是中芯国际、华虹集团和Nexchip等巨头，而台湾的份额预计将从49%巩固至42%。成熟制程集成电路广泛应用于汽车行业，该行业仍在努力解决芯片供应问题。由于汽车的生命周期很长，许多汽车系统使用的芯片正在被半导体公司逐步淘汰，取而代之的是更昂贵、最先进的芯片。研究公司国际数据公司(IDC)对此表示赞同，但预计增长将略有放缓。根据生产地点的分类，中国整体工业区的比例将继续增加，到2027年达到29%，比2023年增加2%。台湾的市场份额将从2023年的46%下降到2027年的43%。美国将在先进工艺部分取得一些进展，预计到2027年，其7nm及以下的份额将达到11%。研究公司IDC也认为中国正在取得进展。IDC表示，尽管中国正在努力发展先进的集成电路工艺，但其成熟工艺发展迅速TrendForce表示，虽然中国积极争取全球和国内IC设计师，以加强其本土制造业务，但随之而来的大规模扩张可能会让成熟的工艺淹没全球市场，可能引发价格战。随着中国成熟制程能力的不断涌现，驱动IC、CIS/ISP和电源分立器件的国产化趋势将更加明显。拥有类似工艺平台和产能的二三线代工厂可能面临客户流失和价格压力的风险。以其专业工艺而闻名的台湾行业领导者，如联电、PSMC、先锋等，将发现自己处于风暴中心。未来的战斗将取决于技术实力和高效的产量。“地缘政治的变化正在从根本上改变半导体行业的格局。虽然直接影响可能是微妙的，但长期战略更多地关注供应链的自立、安全和控制。IDC亚太区半导体研究主管兼台湾地区经理Helen Chiang在一份声明中表示:“行业运营将从全球合作转向多地区竞争。”TrendForce表示，在驱动IC领域，重点是高压(HV)特种工艺。随着各公司积极追求40/28nm HV工艺，联华电子目前占据主导地位，GlobalFoundries紧随其后。然而，中芯国际的28HV和Nexchip的40HV正分别准备在23年第四季度和24年一季度量产，从而缩小了与其他代工厂的技术差距。具有类似工艺能力和产能的竞争对手，如PSMC，以及没有12英寸工厂的竞争对手，如Vanguard和DBHitek，将在短期内面临挑战。据TrendForce称，这一趋势也可能对联华电子和GlobalFoundries产生长期影响。TrendForce表示，虽然中国积极争取全球和国内IC设计师，以加强其本土制造业务，但随之而来的大规模扩张可能会让成熟的工艺淹没全球市场，可能引发价格战。TrendForce补充说，虽然中国积极争取全球和国内IC设计师，以加强其本土制造业务，但随之而来的大规模扩张可能会让成熟的工艺淹没全球市场，可能引发价格战。在CIS/ISP领域，三维CIS结构包括逻辑层ISP和CIS像素层。主流制程的主要界限是逻辑层ISP的45/40nm范围，该范围继续向更高级的节点发展。同时，CIS像素层以及FSI/BSI CIS主要采用65/55nm及以上工艺。据TrendForce报道，目前，台积电、联华电子和三星是这项技术的领跑者。不过，该公司补充称，中芯国际(SMIC)和Nexchip等中国企业正在缩小差距。中国智能手机巨头OPPO、Vivo和b小米进一步推动了它们的崛起。在政府政策的推动下，中国的CIS公司，如OmniVision、Galaxycore和SmartSens，开始支持本土生产。

功率分立器件主要包括mosfet和igbt等产品。Vanguard和HHGrace深入电源离散工艺已有一段时间，拥有比许多竞争对手更全面的工艺平台和整车认证。然而，TrendForce表示，在支持电动汽车和太阳能计划的国家政策的支持下，一波中国竞争者正在加剧该领域的全球竞争。这包括主流代工厂，如宏芯、中芯国际、Nexchip和灿芯。GTA和CRMicro等规模较小的中国芯片制造商和代工厂也加入了竞争。如果中国大规模提高产能，将加剧电力离散制造领域的全球竞争。这种影响不仅会在大陆企业之间引发价格战，还可能侵蚀台湾企业的订单和客户。